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MOS管
全国型号 nce40h12k
目录MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)
类型N沟道
MPS
德州仪器
意法半导体
Nexperia
在现在生活中，想必大家对芯片多少都会有些了解，然而很多人对Ic就是芯片吗这个问题都比较关注，...
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