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新洁能
MOS管
型号 NCE60P04Y
目录MOS(场效应管)
P沟道，60V，4A，120毫欧。
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻120mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W(Tc)
类型P沟道
MPS
德州仪器
意法半导体
Nexperia
随着电子计算机产业的快速发展，对各种类型电子元器件的需求逐渐增加，对生产、加工、销售企业和...
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