拨打电话
新洁能
MOS管
型号 nce4435
P沟道 30V 9.1A ，Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比
目录MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9.1A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
类型P沟道
MPS
德州仪器
意法半导体
Nexperia
随着4G在全球实现规模商用，5G技术已成为全球移动通信产业的研发重点。5G不仅自身具有巨大的产业...
点击发消息
0755-82730390181-2624-9648
首页
品牌分类
关于我们
一键呼我
回顶