ON 安森美

　　型号 bss123lt1g

　　N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V

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　　目录MOS(场效应管)

　　漏源电压(Vdss)100V

　　连续漏极电流(Id)(25°C 时)170mA

　　栅源极阈值电压2.8V @ 1mA

　　漏源导通电阻6Ω @ 100mA,10V

　　最大功率耗散(Ta=25°C)225mW

　　类型N沟道

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　　FET 类型N 沟道

　　技术MOSFET(金属氧化物)

　　漏源极电压(Vdss)100V

　　电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)170mA(Ta)

　　驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On)10V

　　不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 1mA

　　不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)-

　　不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)20pF @ 25V

　　Vgs(最大值)±20V

　　FET 功能-

　　功率耗散(最大值)225mW(Ta)

　　不同 Id，Vgs 时的 Rds On(最大值)6 欧姆 @ 100mA，10V

　　工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

　　安装类型表面贴装

　　供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

　　封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3