ON 安森美

　　型号 fds4141

　　FET 型MOSFET P-Channel, Metal Oxide

　　FET特点Logic Level Gate

　　漏极至源极电压(VDSS)40V

　　电流-连续漏极(编号)@ 25°C10.8A

　　Rds(最大)@ ID，VGS13 mOhm @ 10.5A, 10V

　　VGS(TH)(最大)@ Id3V @ 250µA

　　栅极电荷(Qg)@ VGS49nC @ 10V

　　输入电容(Ciss)@ Vds的2670pF @ 20V

　　功率 - 最大2.5W

　　安装类型Surface Mount

　　包/盒8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

　　供应商器件封装8-SOICN

　　包装材料Tape & Reel (TR)

　　包装8SOIC N

　　渠道类型P

　　通道模式Enhancement

　　最大漏源电压40 V

　　最大连续漏极电流10.8 A

　　RDS -于13@10V mOhm

　　最大门源电压±20 V

　　典型导通延迟时间10 ns

　　典型上升时间2 ns

　　典型关闭延迟时间42 ns

　　典型下降时间12 ns

　　工作温度-55 to 150 °C

　　安装Surface Mount

　　标准包装Cut Tape

　　标准包装Tape & Reel

　　最大门源电压±20

　　欧盟RoHS指令Compliant

　　最高工作温度150

　　标准包装名称SOIC

　　最低工作温度-55

　　封装Tape and Reel

　　最大漏源电阻13@10V

　　最大漏源电压40

　　每个芯片的元件数1

　　供应商封装形式SOIC N

　　最大功率耗散5000

　　最大连续漏极电流10.8

　　引脚数8

　　铅形状Gull-wing

　　FET特点Logic Level Gate

　　安装类型Surface Mount

　　电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C10.8A (Ta)

　　的Vgs(th ) (最大)@ Id3V @ 250µA

　　漏极至源极电压(Vdss)40V

　　供应商设备封装8-SOIC N

　　开态Rds(最大)@ Id ，V GS13 mOhm @ 10.5A, 10V

　　FET型MOSFET P-Channel, Metal Oxide

　　功率 - 最大2.5W

　　输入电容(Ciss ) @ VDS2670pF @ 20V

　　其他名称FDS4141TR

　　闸电荷(Qg ) @ VGS49nC @ 10V

　　封装/外壳8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

　　RoHS指令Lead free / RoHS Compliant

　　漏极电流(最大值)10.8 A

　　频率(最大)Not Required MHz

　　栅源电压(最大值)�20 V

　　输出功率(最大)Not Required W

　　功率耗散5 W

　　噪声系数Not Required dB

　　漏源导通电阻0.013 ohm

　　工作温度范围-55C to 150C

　　包装类型SOIC N

　　极性P

　　类型Power MOSFET

　　元件数1

　　工作温度分类Military

　　漏极效率Not Required %

　　漏源导通电压40 V

　　功率增益Not Required dB

　　弧度硬化No

　　连续漏极电流10.8 A

　　晶体管极性:P Channel