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新洁能半导体

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无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势,与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。


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新洁能  MOS管  型号 nce4435  P沟道 30V 9.1A ,Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比  目录MOS(场效应管...

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NCE4060K

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新洁能  MOS管  型号 NCE4060K  目录MOS(场效应管)  漏源电压(Vdss)40V  连续漏极电流(Id)(25°C...

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新洁能  MOS管  型号 NCE3080K  目录MOS(场效应管)  N沟道,30V/80A,5.5毫欧。  漏源电压(Vdss)...

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新洁能  MOS管  型号 nce40p40k  P沟道,40V,40A.  目录MOS(场效应管)  漏源电压(Vdss)40V  ...

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新洁能  MOS管  型号 nce3401  P沟道,  -30V,-4.2A,  48毫欧@10V。  目录MOS(场效应管)  ...

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NCE3400

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新洁能  MOS管  型号 NCE3400  商品目录MOS(场效应管)  漏源电压(Vdss)30V  连续漏极电流(Id)(25...

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